Влияние количества трансмутационного гелия, накопленного при облучении, на теплопроводность реакторного бериллия.

Исследована зависимость теплопроводности реакторного бериллия марки ТВ - 56, используемого в реакторах СМ и МИР, от доли атомов гелия, накопленного при нейтронном облучении. Получена зависимость теплопроводности облучённого в реакторе СМ бериллия марки ТВ - 56 от доли 4Не, накопленного в результате ядерных реакций: с увеличением доли гелия при облучении теплопроводность резко уменьшается до флюенса нейтронов 2ּ1022 см-2, а при дальнейшем увеличении флюенса теплопроводность изменяется незначительно. Исследования теплопроводности отожжённых образцов методом термоэлектронной микроскопии и исследования материала показали, что в результате отжига теплопроводность бериллия частично восстанавливается, что связано с перераспределением атомов гелия, собственных точечных дефектов и дислокационной структуры материала.